在小功率場效應(yīng)MOS管的產(chǎn)品領(lǐng)域中，場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管(MOSFET，下面簡稱MOS管)的柵源間電阻比結(jié)型大得多，對于認(rèn)識、學(xué)習(xí)幾種MOS管驅(qū)動方式的工作電路來說，通常電子工程行業(yè)的人們都知道，電力MOSFET的工作原理與小功率MOSFET是相同，這里不多做贅述。

目前電力MOSFET大都采用了垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，在實際應(yīng)用的元器件產(chǎn)品中，選型、測試和規(guī)模化的批量使用，仍是以增強(qiáng)型N溝道MOS管和增強(qiáng)型P溝道MOS管用料需求居多。常見的MOS管驅(qū)動電路方式有三種：電源IC直接驅(qū)動、推挽驅(qū)動、變壓器驅(qū)動。

1、關(guān)于集電極開路輸出的IC，如TTL集成電路，外接擴(kuò)流電路時，假如IC內(nèi)部的驅(qū)動能力缺乏，外部能夠增加擴(kuò)流電路，常見的電路方式是圖騰柱的電路(圖騰柱屬于推挽電路)。

2、擴(kuò)流電路普通用來驅(qū)動大電流規(guī)格的VMOS，為了減小驅(qū)動控制電路與功率級電路之間的互相干擾，通常會采用各自獨(dú)立的電源。在專用的PWM集成電路中，針對一些經(jīng)典的場效應(yīng)MOS管型號，絕大多數(shù)是能夠直接驅(qū)動VMOS。

3、MOS管使用變壓器驅(qū)動，不僅實現(xiàn)電氣隔離，而且驅(qū)動速度也快，但是使用變壓器驅(qū)動時，MOS管的占空比不能大于50%，否則變壓器會飽和。